شبیه سازی اسیلاتور کنترل شونده با ولتاژ

بدون ديدگاه

طراحی و مدل سازی ترانزیستورهای بر پایه نانو سیم های نیمه هادی
طراحی یک اسیلاتور کنترل شونده با ولتاژ با استفاده از ترانزیستور های نانولوله ای کربنی.
طراحی و شبیه سازی مدارهای منظقی با مصرف توان پایین و سرعت بالا با ترانزیستورهای نانووایر سیلیکانی.

طراحی مالتی پلکسر سه سطحی برگشت پذیر با ترانزیستورهای نانولوله ای کربنی با مصرف توان بسیار پایین.
5. طراحی مالتی پلکسر سه سطحی برگشت پذیر با ترانزیستورهای گرافنی یا مبتنی بر گرافن با مصرف توان بسیار پایین.
6. بررسی مکانیسم و برقراری جریان درین در ترانزیستورهای دوگیتی
7. طراحی و مدل سازی ترانزیستورهای بر پایه نانو سیم های نیمه هادی
8. آنالیز و بررسی لیزرهای تابش کننده عمود بر سطح کاواک یا VCSEL شامل چاه های کوانتومی
9. محصور کردن فوتون در ابعاد کوانتومی با استفاده از موجبرهای پلاسمونیکی.
10. بررسی موجبرهای پلاسمونیکی (Plasmonic Waveguides) برای کاربردهای مخابرات نوری با سطح تجمع پذیری بالا.
11. ارائه ی یک مدل جدید برای ترانزیستور دو گیتی دو ماده ای

1- آنالیز و بهبود مشخصات ترانزیستورهاي اثر میدان فلز- اکسید- نیمه هادي (MOSFET)
2- آنالیز و بهبود مشخصات ترانزیستورهاي اثر میدان فلز- نیمه هادي(MESFET)
3- آنالیز و بهبود مشخصات ترانزیستورهاي اثر میدان فلز- اکسید- نیمه هادي در تكنولوژي سيليسيم بر روي عايق SOI MOSFET) )
4- آنالیز و بهبود مشخصات ترانزیستورهاي اثر میدان فلز- نیمه هادي در تكنولوژي سيليسيم بر روي عايق SOI MESFET )
5- آنالیز و بهبود مشخصات ترانزیستورهايHEMT
6- بررسي روش هاي بهبود ولتاژ شكست در ترانزیستورهاي اثر میدان فلز- اکسید- نیمه هادي (MOSFET)
7- بررسي روش هاي بهبود ولتاژ شكست در ترانزیستورهاي اثر میدان فلز-نیمه هادي(MESFET)
8- بررسي روش هاي بهبود ولتاژ شكست در ترانزیستورهاي اثر میدان فلز-اکسید- نیمه هادي در تكنولوژي سيليسيم بر روي عايق SOI MOSFET) )
9- بررسي روش هاي بهبود ولتاژ شكست در ترانزیستورهاي اثر میدان فلز- نیمه هادي در تكنولوژي سيليسيم بر روي عايق SOI MESFET )
10- بررسي روش هاي بهبود ولتاژ شكست در ترانزیستورهاي HEMT
11- بررسي روش هاي بهبود مشخصات فرکانسی در ترانزیستورهاي اثر میدان فلز-
اکسید- نیمه هادي (MOSFET)
12- بررسي روش هاي بهبود مشخصات فرکانسی در ترانزیستورهاي اثر میدان فلز-
نیمه هادي(MESFET)
13- بررسي روش هاي بهبود مشخصات فرکانسی در ترانزیستورهاي اثر میدان فلز-
اکسید- نیمه هادي در تكنولوژي سيليسيم بر روي عايق SOI MOSFET) )
14- بررسي روش هاي بهبود مشخصات فرکانسی در ترانزیستورهاي اثر میدان فلز-
نیمه هادي در تكنولوژي سيليسيم بر روي عايق SOI MESFET) )
15- بررسي روش هاي بهبود مشخصات فرکانسی در ترانزیستورهايHEMT

نوشتن دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد.

چهار + هشت =