طراحی و مدل سازی ترانزیستورهای بر پایه نانو

بدون ديدگاه

طراحی و مدل سازی ترانزیستورهای بر پایه نانو

1.طراحی و مدل سازی ترانزیستورهای بر پایه نانو سیم های نیمه هادی
2. طراحی یک اسیلاتور کنترل شونده با ولتاژ با استفاده از ترانزیستور های نانولوله ای کربنی.
3. طراحی و شبیه سازی مدارهای منظقی با مصرف توان پایین و سرعت بالا با ترانزیستورهای نانووایر سیلیکانی.

4. طراحی مالتی پلکسر سه سطحی برگشت پذیر با ترانزیستورهای نانولوله ای کربنی با مصرف توان بسیار پایین.
5. طراحی مالتی پلکسر سه سطحی برگشت پذیر با ترانزیستورهای گرافنی یا مبتنی بر گرافن با مصرف توان بسیار پایین.
6. بررسی مکانیسم و برقراری جریان درین در ترانزیستورهای دوگیتی
7. طراحی و مدل سازی ترانزیستورهای بر پایه نانو سیم های نیمه هادی
8. آنالیز و بررسی لیزرهای تابش کننده عمود بر سطح کاواک یا VCSEL شامل چاه های کوانتومی
9. محصور کردن فوتون در ابعاد کوانتومی با استفاده از موجبرهای پلاسمونیکی.
10. بررسی موجبرهای پلاسمونیکی (Plasmonic Waveguides) برای کاربردهای مخابرات نوری با سطح تجمع پذیری بالا.
11. ارائه ی یک مدل جدید برای ترانزیستور دو گیتی دو ماده ای

1- آنالیز و بهبود مشخصات ترانزیستورهاي اثر میدان فلز- اکسید- نیمه هادي (MOSFET)
2- آنالیز و بهبود مشخصات ترانزیستورهاي اثر میدان فلز- نیمه هادي(MESFET)
3- آنالیز و بهبود مشخصات ترانزیستورهاي اثر میدان فلز- اکسید- نیمه هادي در تكنولوژي سيليسيم بر روي عايق SOI MOSFET) )
4- آنالیز و بهبود مشخصات ترانزیستورهاي اثر میدان فلز- نیمه هادي در تكنولوژي سيليسيم بر روي عايق SOI MESFET )
5- آنالیز و بهبود مشخصات ترانزیستورهايHEMT
6- بررسي روش هاي بهبود ولتاژ شكست در ترانزیستورهاي اثر میدان فلز- اکسید- نیمه هادي (MOSFET)
7- بررسي روش هاي بهبود ولتاژ شكست در ترانزیستورهاي اثر میدان فلز-نیمه هادي(MESFET)
8- بررسي روش هاي بهبود ولتاژ شكست در ترانزیستورهاي اثر میدان فلز-اکسید- نیمه هادي در تكنولوژي سيليسيم بر روي عايق SOI MOSFET) )
9- بررسي روش هاي بهبود ولتاژ شكست در ترانزیستورهاي اثر میدان فلز- نیمه هادي در تكنولوژي سيليسيم بر روي عايق SOI MESFET )
10- بررسي روش هاي بهبود ولتاژ شكست در ترانزیستورهاي HEMT
11- بررسي روش هاي بهبود مشخصات فرکانسی در ترانزیستورهاي اثر میدان فلز-
اکسید- نیمه هادي (MOSFET)
12- بررسي روش هاي بهبود مشخصات فرکانسی در ترانزیستورهاي اثر میدان فلز-
نیمه هادي(MESFET)
13- بررسي روش هاي بهبود مشخصات فرکانسی در ترانزیستورهاي اثر میدان فلز-
اکسید- نیمه هادي در تكنولوژي سيليسيم بر روي عايق SOI MOSFET) )
14- بررسي روش هاي بهبود مشخصات فرکانسی در ترانزیستورهاي اثر میدان فلز-
نیمه هادي در تكنولوژي سيليسيم بر روي عايق SOI MESFET) )
15- بررسي روش هاي بهبود مشخصات فرکانسی در ترانزیستورهايHEMT

فرم ثبت سفارش

  • تمامی درخواست های شما شامل: دوره های آموزشی تخصصی شبیه سازی دوره های آموزشی اجرای پیاده سازی مقاله دلخواه شما دوره های آموزشی پیاده سازی مقاله با آموزش ویدیویی دوره های آموزشی پیاده سازی Ns2 دوره های آموزشی شبکه در Ns3 , Cooja دوره های آموزشی پایتون دوره های آموزشی متلب دوره های آموزشی C++ مشاوره در پایان نامه (ایده پردازی) پیاده سازی فصل 4 پایان نامه پیاده سازی و شبیه سازی پایان نامه پیاده سازی و شبیه سازی مقالات پایه دوره های آموزشی درخواستی و غیره... درخواست های مربوط به دوره ها آموزشی تخصصی در رشته سازی های مهندسی کامپیوتر ، فناوری اطلاعات، مخابرات و غیره می تواند به ما ارسال شود.
  • این فیلد بسیار مهم می باشد. درخواست ها بر اساس ایمیل دسته بندی شده و پاسخ داده می شوند. لطفا ایمیل را صحیح وارد کنید.
  • در این بخش موارد مربوط به درخواست خود را توضح دهید عنوان پروژه عنوان درخواست شما ( پیاده سازی ، شبیه سازی مقاله ، دوره های آموزشی و ...) توضیح از کارتون و دقیقا درخواست شما چیست
  • در صورتی که فایلی میخواهید ارسال کنید می توانید از این بخش ارسال کنید - مانند : (jpg, gif, png, pdf)

نوشتن دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد.

13 + 4 =